在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。
RIE-PE刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。
RIE-PE刻蝕機為了適應工藝發展需求，各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術來滿足工藝需求。主要有以下幾類；
2、等離子體技術：等離子體密度和能量單獨控制。
3、等離子體約束：減少Particle，提高結果重復性。
4、工藝組件：適應不同工藝需求，對應不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。
1、雙區進氣的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性，結果比較明顯。
6、反應室結構設計；由200mm時的側抽，改為下抽或者側下抽。有利于提高氣流均一性。
5、 Narrow Gap：窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。
RIE-PE刻蝕機特點：
1、高選擇性各向異性腐蝕，符合苛刻的制程要求。
2、全自動"一鍵"操作*代替手動操作。
3、易于使用的電腦觸摸屏的參數控制和配方輸入和存儲。
4、晶圓尺寸達8"英寸直徑，圓滑、緊湊的設計使用zui少的潔凈室空間。
5、RIE-PE刻蝕機設計用于蝕刻氮化物、氧化物和任意需要氟基化學的薄膜或基片。其安裝在節省空間的平臺上的模塊化設計，使其成為*許多用戶的系統。
6、選項：ICP(電感耦合等離子)、渦淪泵、帶背側氦冷卻系統和端點檢測系統的靜電吸盤等。
7、產品已全面開發出各種工藝，RIE-PE刻蝕機用于對使用氟基化學的材料進行各向同性和各向異性蝕刻，其中包括：碳、環氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢。
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更新時間：2017-10-19 
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