ICP刻蝕機作為核心刻蝕工藝設備，其工藝表現將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術優勢，
隨著半導體工藝技術的發展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規模集成電路微米、甚至納米級細線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發展起來。在干法刻蝕中，感應耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡稱ICP)刻蝕法由于其產生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側壁垂直度高以及光潔度好，逐漸被廣泛應用到半導體工藝技術中。
ICP刻蝕機的基本原理是在真空低氣壓下，ICP射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。
現代半導體工藝對刻蝕的要求越來越高，ICP刻蝕設備滿足了這種需求。為保證工藝的穩定性、重復性，設備的穩定性是關鍵因素之一。熟練掌握ICP刻蝕機的原理與組成構造，掌握影響ICPE工藝的各方面因素，可以極大的縮短設備故障后的修復時間。另外，定期對設備進行保養也是保證設備穩定的一個重要手段。
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更新時間：2020-05-20 
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