進口ALD設備：ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

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廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-04-28
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進口ALD設備概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

進口ALD設備特點：

占地面積小
計算機控制，Labview軟件全自動工藝控制
360A厚的AL2O3膜，誤差為±1A
三維鍍膜，接近100%的階梯覆蓋率
設備集成安全氣柜
10mTorr的極限真空
可支持6“，8”基片（升級支持12“，或定制更大尺寸）
樣品臺可加熱至400℃（可選加熱到500℃）
手動/自動上下載片可選
支持多達7路的50ml的液態或固態前驅體瓶源

進口ALD設備選配：

下游式遠程平面ICP源或中空陰極離子源，支持PEALD
自動上下片，單片或25片cassette
增加額外的液態qia前驅體或額外的fan'ying反應氣路
300l/sec的磁懸浮渦流分子泵，5*10-7Torr極限真空
大尺寸的基片或fe粉末的沉積
QCM原位膜厚監控系統

進口ALD設備應用：

Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
Nano laminates納米復合材料
高K介質
疏水性涂覆
鈍化層
高深寬比擴散阻擋層的銅連接
微流控ying'yo應用的保形性涂覆
燃料電池z中諸如催化層的單金屬涂覆

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